CDI-Verfahren

CDI-Verfahren,

 

Abkürzung für Collector diffusion isolation [kɔ'lektə dɪ'fjuːʒn aɪsɔ'leɪʃn, englisch], Kollektordiffusionsisolation,ein Verfahren der Bipolartechnik zur Herstellung von Transistoren sowie von integrierten Schaltkreisen mit Sperrschichtisolation. In ein p-leitendes Substrat wird eine »begrabene n⁺-Schicht« als Kollektorbahn eindiffundiert und darüber eine p-Schicht durch Epitaxie aufgebracht; diese wird durch Eindiffusion von n-Material bis hin zur vergrabenen Schicht so unterbrochen, dass sich isolierte p-Inseln bilden, in die schließlich noch n⁺-Emitter eindiffundiert werden. Die isolierte Sperrschicht befindet sich zwischen einer (als Basis wirksamen) p-Insel und dem zusammenhängenden n⁺-Kollektorgebiet.